用測電阻法判別場效應管的好壞：測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔，測量源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測得阻值是無窮大，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于Ｒ×１０ｋ檔，再測柵極Ｇ1與Ｇ2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當測得其各項電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或為通路，則說明管是壞的。要注意，若兩個柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進行檢測。在振蕩器中，場效應管可以用于產(chǎn)生高頻信號。在電壓控制器中，F(xiàn)ET可以用于控制電壓的變化。臺州耗盡型場效應管推薦

MOS場效應管的測試方式(1)．打算工作測量之前，先把人體對地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。在手腕上接一條導線與大地連接，使人體與大地維持等電位。再把管腳分離，然后拆掉導線。(2)．判斷電極將萬用表撥于R×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無限大，驗證此腳就是柵極G。交換表筆重測量，S-D之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品，S極與管殼接通，據(jù)此很容易確定S極。(3)．檢驗放大能力(跨導)將G極懸空，黑表筆接D極，紅表筆接S極，然后用指頭觸摸G極，表針理應較大的偏轉(zhuǎn)。雙柵MOS場效應管有兩個柵極G1、G2。為區(qū)別之，可用手分別觸摸G1、G2極，其中表針向左側(cè)偏轉(zhuǎn)大幅度較大的為G2極。目前有的MOSFET管在G-S極間增加了保護二極管，平時就不需要把各管腳短路了。MOS場效應晶體管在采用時應留意分類，不能隨心所欲交換。MOS場效應晶體管由于輸入阻抗高(包括MOS集成電路)極易被靜電擊穿，用到時應留意以下準則：(1).MOS器件出廠時一般而言裝在黑色的導電泡沫塑料袋中，切勿自行隨意拿個塑料袋裝。也可用細銅線把各個引腳聯(lián)接在一起，或用錫紙包裝。金華P溝耗盡型場效應管多少錢場效應管具有高輸入電阻、低噪聲、低功耗、寬動態(tài)范圍、易于集成、無二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點。

根據(jù)場效應管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結(jié)型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極Ｇ。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極，測其電阻值。當出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說明是ＰＮ結(jié)的反向，即都是反向電阻，可以判定是Ｎ溝道場效應管，且黑表筆接的是柵極；若兩次測出的電阻值均很小，說明是正向ＰＮ結(jié)，即是正向電阻，判定為Ｐ溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況，可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進行測試，直到判別出柵極為止。

如果我們在上面這個圖中,將電阻Rc換成一個燈泡,那么當基極電流為0時,集電極電流為0,燈泡滅.如果基極電流比較大時(大于流過燈泡的電流除以三極管 的放大倍數(shù) β),三極管就飽和,相當于開關(guān)閉合,燈泡就亮了.由于電流只需要比燈泡電流的β分之一大一點就行了,所以就可以用一個小電流來一個大電流的通 斷.如果基極電流從0慢慢增加,那么燈泡的亮度也會隨著增加(在三極管未飽和之極管開關(guān)電路由開關(guān)三極管VT，電動機M，開關(guān)S，基極限流電阻器R和電源GB組成。VT采用NPN型小功率硅管8050，其集電極最大允許電流ICM可達1.5A，以滿足電動機起動電流的要求。M選用工作電壓為3V的小型直流電動機，對應電源GB亦為3V。場效應管的低功耗和高頻率響應使其在高速數(shù)字電路和無線通信系統(tǒng)中得到大范圍應用。

場效應管傳統(tǒng)的MOS場效應管的柵極、源極和漏極較大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，其兩大結(jié)構(gòu)特點:點，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜N+區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，垂直向下到達漏極D。因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管。場效應管有三種類型：增強型、耗盡型和開關(guān)型。紹興結(jié)型場效應管制造商

場效應管可以用于電子開關(guān)和調(diào)節(jié)器件。臺州耗盡型場效應管推薦

膩流暢的磁性聲，彈性十足震撼人心的低頻轟炸聲，別有一番霸道氣勢。在一般的設計中場效應管特長沒有得到充分發(fā)揮，甚至認為聲音偏冷、偏暗，其實這不是場效應管的原因。其聲音不好，一方面是人們使用它直接代換晶體管，晶體管的線路是不能發(fā)揮出場效應管的特性的；另一方面，這些電路通常使用AB類的偏置。根據(jù)場效應管轉(zhuǎn)移特性，在低偏置時具有嚴重的非線性，帶來嚴重的失真，解決的辦法是讓其工作在A類狀態(tài)，特別是單端A類，瞬態(tài)特性較好，音質(zhì)純美，偶次諧波豐富，音色悅耳動聽，更具有電子管的醇美音色。臺州耗盡型場效應管推薦

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